采用坩埚下降法生长出尺寸为Ф22mm×30mm 的磷锗锌(ZnGeP2)单晶体.分别采用真空P氛围和真空ZnGeP2多晶粉末包裹对生长的ZnGeP2晶体进行退火处理.利用X射线衍射仪、能量分散光谱仪、红外分光光度计,测试了不同退火条件下ZnGeP2晶体中的元素组成和红外透光谱.结果表明,采用真空ZnGeP2多晶粉末包裹,580-600℃保温300h的退火工艺,能够较好地弥补晶片中Zn、P原子缺失,成分更接近ZnGeP2理想化学计量比.退火后的晶体在近红外波段范围内(0.7-2μm)的透过率有约30%的提高,在2-10μm 范围内的平均透过率接近60%.晶体光学质量显著提高,满足光学器件的制作要求.