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Modeling of MFIS-FETs for the Application of Ferroelectric Random Access Memory
  • ISSN号:0018-9383
  • 期刊名称:IEEE Transactions on Electron Devices
  • 时间:0
  • 页码:3559-3565
  • 相关项目:低维铁电材料的制备、力学表征及其微器件应用
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