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非晶氧化钛薄膜的电学特性研究
  • ISSN号：1001-5868
  • 期刊名称：《半导体光电》
  • 时间：0
  • 分类：O484.42[理学—固体物理;理学—物理]
  • 作者机构：[1]电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054
  • 相关基金：国家自然科学基金项目（60736005）
作者： 居勇峰[1], 陈彤[1], 吴志明[1], 蒋亚东[1]
关键词： 反应溅射, TCR, 非晶氧化钛, FESEM, reactive sputter, TCR, amorphous titanium oxide, FESEM
中文摘要：

室温下,通过采用直流反应磁控溅射法在覆盖有氮化硅薄膜的单晶硅衬底上生长了厚度约为100nm的氧化钛薄膜。掠入射X射线衍射分析结果表明在室温下,不同氧分压下生长的氧化钛薄膜均具有非晶结构。分别采用场发射扫描电子显微镜、X射线光电子能谱对薄膜的表面和断面形貌以及薄膜的组分进行了分析和表征。对薄膜的电学特性测试发现非晶氧化钛薄膜在293～373K的温度范围内主要依靠热激发至扩展态中的电子导电。

英文摘要：

Titanium oxide thin films were fabricated on Si3N4/Si substrates by direct current reactive magnetron sputtering.The results of glancing incident X-ray diffraction show that all the deposited films are amorphous.The surface and cross-section morphology and compositon of the films were analyzed by field emission scanning electron microscopy and X-ray photoelectron spectra,respectively.The temperature dependence of the electrical conductivity illustrates a thermally activated conduction behavior in the temperature range of 293~373 K.

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期刊信息
  • 《半导体光电》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:信息产业部
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第四十四研究所（重庆光电技术研究所）
  • 主编：江永清
  • 地址：重庆市南岸区南坪花园路14号
  • 邮编：400060
  • 邮箱：soe@163.net
  • 电话：023-65860286
  • 国际标准刊号：ISSN：1001-5868
  • 国内统一刊号：ISSN：50-1092/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 重庆市首届十佳期刊称号，1999年,信息产业部1999-2000年度优秀电子期刊称号
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
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