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考虑硅通孔的三维集成电路热传输解析模型
  • 期刊名称：物理学报，2011年11月，60（11）：118001（SCI）
  • 时间：0
  • 分类：TP333.7[自动化与计算机技术—计算机系统结构;自动化与计算机技术—计算机科学与技术]
  • 作者机构：[1]西安电子科技大学微电子学院,西安710071
  • 相关基金：国家自然科学基金（批准号：60725415 60676009）; 国家重大科技专项（批准号：2009ZX01034-002-001-005）; 国家重点实验室基金（批准号：ZHD200904）; 西安AM创新基金（批准号：XA-AM-200907）资助的课题
  • 相关项目：集成电路设计（包括ＣＡＤ）
关键词： 三维集成电路, 热管理, 硅通孔, 等效热模型, 3D IC, thermal management, through silicon via, equivalent thermal model
中文摘要：

基于不考虑硅通孔的N层叠芯片的一维热传输解析模型,提出了硅通孔的等效热模型,获得了考虑硅通孔的三维集成电路热传输解析模型,并采用Matlab软件验证分析了硅通孔对三维集成电路热管理的影响.分析结果表明,硅通孔能有效改善三维集成电路的散热,硅通孔的间距增大将使三维集成电路的温升变大.

英文摘要：

Based on the one-dimensional analytical thermal model for N strata stacked chips without through-silicon via （TSV）,the equivalent thermal model for TSV is presented in this paper.And then,the corresponding analytical thermal model with considering TSV is deriveed.Finally,Matlab software is used to verify and analyze the influence of TSV on the thermal management of 3D IC intergration.The analysis results indicate that the TSV can effectively improve the heat dissipation of 3D IC circuits,and the increase of TSVs＇s pitch can raise the temperature of the 3D IC circuit.

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