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Characterization of the heteroepitaxial growth of 3C-SiC on Si during low pressure chemical vapor deposition
  • ISSN号：1001-246X
  • 期刊名称：《计算物理》
  • 时间：0
  • 分类：TN304.24[电子电信—物理电子学] TB43[一般工业技术]
  • 作者机构：[1]Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi'an 710071, China
  • 相关基金：This work was supported by the National Natural Science Foundation of China （60876061） and the Pre-research Project （51308040302）.
作者： CHEN Da ZHANG YuMing ZHANG YiMen WANG YueHu JIA RenXu[1]
关键词： 低压化学气相沉积, SIC, 生长特性, 3C, 傅里叶变换红外光谱, 化学气相沉积系统, 外延层生长, 原子力显微镜, 3C-SiC, low pressure chemical vapor deposition, X-ray diffraction, atomic force microscopy, Fourier transform infrared spectroscopy
中文摘要：

Corresponding author （email： chda2000@163.com）

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期刊信息
  • 《计算物理》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学技术协会
  • 主办单位:中国核学会
  • 主编：朱少平
  • 地址：北京海淀区丰豪东路2号北京应用物理与计算数学研究所
  • 邮编：100094
  • 邮箱：jswl@iapcm.ac.cn
  • 电话：010-59872547 59872545 59872547
  • 国际标准刊号：ISSN：1001-246X
  • 国内统一刊号：ISSN：11-2011/O4
  • 邮发代号:2-477
  • 获奖情况:
  • 1992年获“全优期刊”奖,《CAJ-CD规范》执行优秀奖
  • 国内外数据库收录:
  • 荷兰文摘与引文数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:4426