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ZnO纳米棒的图形化生长及其场发射特性
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN304[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：山东大学物理与微电子学院,济南,250100, 华东师范大学信息科学技术学院电子系,上海,200062 华东师范大学信息科学技术学院电子系,上海,200062 华东师范大学信息科学技术学院电子系,上海,200062 山东大学物理与微电子学院,济南,250100, 华东师范大学信息科学技术学院电子系,上海,200062 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070 华东师范大学信息科学技术学院电子系,上海,200062 华东师范大学信息科学技术学院电子系,上海,200062
  • 相关基金：国家自然科学基金(批准号:60476004)和武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室开放基金(批准号:WUT2004 Z01)资助项目
作者： 常中坤, 郁可, 张永胜, 李立君, 欧阳世翕, 张清杰, 王青艳, 朱自强
关键词： ZnO纳米棒, 图形化生长, 场发射
中文摘要：

介绍了用氢离子注入技术和阳极腐蚀方法在硼掺杂p-(100)型硅晶片上制备图形化的纳米硅(SiNC)薄膜工艺,并在这种图形化衬底上成功生长了图形化的ZnO纳米棒.场发射测试表明制备的ZnO纳米棒具有良好的场发射性能,即具有较低的开启电场和阈值电场,较高的发射点密度.

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期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754