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Occurrence and elimination of in-plane misoriented crystals in AlN epilayers on sapphire via pre-tre
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：Chinese Physics B
  • 时间：2013.12.12
  • 页码：1-5
  • 相关项目：Si衬底上InGaP/GaAs/Ge和InGaP/GaAs/SiSnGe/Ge多结太阳能电池材料生长与器件制备研究
作者： Wang Hu|Xiong Hui|Wu Zhi-Hao|Yu Chen-Hui|Tian Yu|Dai Jiang-Nan|Fang Yan-Yan|Zhang Jian-Bao|Chen Chang-Qing|
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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
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  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
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  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
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