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The extrinsic and intrinsic causes for the electrical degradation of AlGaN/GaN high electron mobilit
  • ISSN号：0253-4177
  • 期刊名称：半导体学报
  • 时间：0
  • 页码：0540051-0540053
  • 相关项目：GaN基功率器件与材料可靠性基础问题研究
作者： Y.L.Fang（房玉龙）|S.B.Dun（敦少博）|B.Liu（刘波）|J.Y.Yin（尹甲运）|S.J.Cai（蔡树军）|Z.H.Feng（冯志红）|
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