欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
Enhanced deep ultraviolet emission from Si-doped AlxGa1-xN/AlN MQWs
ISSN号:1674-1056
期刊名称:Chinese Physics B
时间:0
页码:127801-1-127801-5
语言:英文
相关项目:非极性高Al组分AlGaN的高温MOCVD外延生长及其物性研究
作者:
Kazumasa, Hiramatsu|Li Da-Bing|Hu Wei-Guo|Song Hang|Hideto, Miyake|
同期刊论文项目
非极性高Al组分AlGaN的高温MOCVD外延生长及其物性研究
期刊论文 5
同项目期刊论文
GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling and its simulation
GaN基MSM结构光伏型紫外探测器建模及其仿真分析
AlN插入层对α-AlGaN的外延生长的影响(英文)
期刊信息
《中国物理B:英文版》
中国科技核心期刊
主管单位:中国科学院
主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
主编:欧阳钟灿
地址:北京 中关村 中国科学院物理研究所内
邮编:100080
邮箱:
电话:010-82649026 82649519
国际标准刊号:ISSN:1674-1056
国内统一刊号:ISSN:11-5639/O4
邮发代号:
获奖情况:
国内外数据库收录:
被引量:406