中文摘要：

Cu (在里面， Ga ) Se2 (帝国参谋总长) 电影在帝国参谋总长电影的取向上用厚度和生长温度的三阶段的合作蒸发过程，和效果在 Na 免费的玻璃底层上被扔被 X 光检查衍射(XRD ) 和扫描电子显微镜学(SEM ) 调查。当帝国参谋总长电影的生长不经历 Cu 富有的过程时，在第二个阶段的生长温度的增加($T_{ s_2 }$) 支持(112 ) 帝国参谋总长电影的取向，并且变弱(220 ) 取向。但当帝国参谋总长电影的生长经历 Cu 富有的过程时， $T_ 的增加 { s_2 }$ 显著地支持(220 ) 取向。另外与帝国参谋总长电影减少的厚度，程度(在里面， Ga ) 2Se3 ( IGS )先锋取向不除了布拉格山峰的紧张变化，还( 220 )后面的帝国参谋总长电影的取向被妨碍，它建议( 112 )飞机优先地在帝国参谋总长电影的起始的生长成长。

英文摘要：

Cu（In,Ga）Se2（CIGS） films are deposited on the Na-free glass substrate using three-stage co-evaporation process,and the effects of thickness and growth temperature on the orientation of CIGS film are investigated by X-ray diffraction（XRD） and scanning electron microscopy（SEM）.When the growth of CIGS film does not experience the Cu-rich process,the increase of the growth temperature at the second stage（Ts2） promotes the（112） orientation of CIGS film,and weakens the（220） orientation.Nevertheless,when the growth of CIGS film experiences Cu-rich process,the increase of Ts2 significantly promotes the（220） orientation.In addition,with the thickness of CIGS film decreasing,the extent of（In,Ga）2Se3（IGS） precursor orientation does not change except for the intensity of Bragg peak,yet the（220） orientation of following CIGS film is hindered,which suggests that（112） plane preferentially grows at the initial growth of CIGS film.