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Field-induced hot-electron emission model for wide-band-gap semiconductor nanostructures
  • ISSN号：0021-8979
  • 期刊名称：Journal of Applied Physics
  • 时间：0
  • 页码：87-91
  • 语言：英文
  • 相关项目：带控制栅极单纳米冷阴极原型器件阵列的研究
作者： Xu, N.S.|She, J.C.|Zeng, J.Z.|Deng, S.Z.|He, H.|
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