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近红外锗硅光电探测器的研究进展
  • ISSN号：1673-1255
  • 期刊名称：光电技术应用
  • 时间：0
  • 页码：18-21
  • 语言：中文
  • 分类：TN215[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]天津工业大学信息与通信工程学院,天津300160
  • 相关基金：国家自然科学重点基金项目（NSFC-60536030）
  • 相关项目：硅基单片光电子集成回路（OEIC）的关键技术及相关理论研究
作者： 李俊一|牛萍娟|李欢|
关键词： SIGE, 应变层, 近红外, 光电探测器, SiGe , strain layers, near-infrared, photo-detector
中文摘要：

介绍了单片集成硅基光接收器相对于混合集成光接收器在光纤通信领域的应用优势，介绍了与硅微电子工艺兼容的、工作在波长λ=0．80～1．60μm近红外波段的锗硅光电探测器在单片集成硅基光接收器中的应用价值．描述了SiGe应变层特性．详细评述了近红外锗硅光电探测器的最新研究进展实例并对其未来作出展望．

英文摘要：

Advantages of monolithically integrated optical receiver in silicon technology compared to hybrid integrated circuit in the application to optical communication field are introduced, as well as the application value in the monolithically integrated optical receiver in silicon technology of near - infrared SiGe photo- detector compatible with silicon technology,operating at λ= 0. 801.60.9 m. The characteristics of SiGe strain layers are described. The latest process on near-infrared SiGe photo - detector is presented and prospects are offered.

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期刊信息
  • 《光电技术应用》
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司光电研究院
  • 主编：王浩
  • 地址：天津市空港经济区纬五道9号
  • 邮编：300308
  • 邮箱：aoe-cetc@vip.163.com
  • 电话：022-59067938
  • 国际标准刊号：ISSN：1673-1255
  • 国内统一刊号：ISSN：12-1444/TN
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