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60GHz单级功率放大器的设计
  • ISSN号:1003-353X
  • 期刊名称:《半导体技术》
  • 时间:0
  • 分类:TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 作者机构:[1]杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,浙江杭州310018
  • 相关基金:基金项目:国家自然科学基金资助项目(60906015),国家重点基础研究发展计划资助项目(2010CB327403)
中文摘要:

该文探讨了60 GHz 功率放大器的设计方法,设计并测试了基于0.07μm GaAs 工艺的60 GHz毫米波单片功率放大器,该放大器采用共源结构,单级放大,工作电压为1.2 V,工作电流为27 mA,在62.2 GHz 时有最大小信号增益4.9 dB,60 GHz 时仿真的输出1 dB 压缩点功率为12 dBm。

英文摘要:

The 60 GHz power amplifier design method is explored and a 60 GHz millimeter-wave monolithic power amplifier is designed and measured with 0.07μm GaAs mHEMT process.The one stage amplifier uses common-source structure .It operates under a 1.2V power supply and 26mA DC bias.A 4.9 dB maximum small signal gain is achieved at 62.2 GHz, and simulated output power at 1 dB compression point is 12 dBm at 60 GHz.

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期刊信息
  • 《半导体技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 主编:赵小玲
  • 地址:石家庄179信箱46分箱
  • 邮编:050051
  • 邮箱:informax@heinfo.net
  • 电话:0311-87091339
  • 国际标准刊号:ISSN:1003-353X
  • 国内统一刊号:ISSN:13-1109/TN
  • 邮发代号:18-65
  • 获奖情况:
  • 中文核心期刊,中国科技论文统计用刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:6070