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Stacking faults in semi-polar 6H-SiC single crystals
  • ISSN号：0232-1300
  • 期刊名称：Crystal Research and Technology
  • 时间：0
  • 页码：357-360
  • 语言：英文
  • 相关项目：沿非c面生长碳化硅单晶
作者： X. G. Xu|Y. Q. Gao|X. B. Hu|
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