位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Vacuum violet photo-response of AlGaN-based metal-semiconductor-metal photodetectors
  • ISSN号：0256-307X
  • 期刊名称：Chin. Phys. Lett
  • 时间：2013
  • 页码：117301-1-3
  • 相关项目：基于III-V化合物半导体的太赫兹特异材料的设计与应用研究
作者： D. Zhou|H. Lu|D.-J. Chen|F. F. Ren|R. Zhang|Y. D. Zheng|L. Li|
同期刊论文项目
基于III-V化合物半导体的太赫兹特异材料的设计与应用研究
期刊论文 23
同项目期刊论文
Breakdown characteristics of AlGaN/GaN Schottky barrier diodes fabricated on a silicon substrate
Spectrum broadening of high-efficiency second harmonic generation in cascaded photonic crystal micro
Metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors directly fabricated on semi-insulating GaN:Fe t
Solar-blind ultraviolet band-pass filter based on metal–dielectric multilayer structures
High-Temperature Single Photon Detection Performance of 4H-SiC Avalanche Photodiodes
Second-order surface-plasmon assisted responsivity enhancement in germanium nano-photodetectors
Large-swing a-IGZO inverter with a depletion load induced by laser annealing
Temperature and gate bias dependence of carrier transport mechanisms in amorphous indium–gallium–zin
Off-state breakdown and leakage current transport analysis of AlGaN/GaN high electron mobility trans
离子注入对ZnTe：O中间带光伏材料的微观结构及光学特性的影响
Solar-blind ultraviolet band-pass filter based on metal-dielectric multilayer structures
Breakdown characteristics of AIGaN/GaN Schottky barrier diodes fabricated on a silicon substrate
期刊信息
  • 《中国物理快报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国科学院物理研究所、中国物理学会
  • 主编：
  • 地址：北京中关村中国科学院物理研究所内（北京603信箱《中国物理快报》编辑部）
  • 邮编：100080
  • 邮箱：cpl@aphy.iphy.ac.cn
  • 电话：010-82649490 82649024
  • 国际标准刊号：ISSN：0256-307X
  • 国内统一刊号：ISSN：11-1959/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵“双高”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,美国数学评论（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国剑桥科学文摘,美国科学引文索引（扩展库）,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,英国英国皇家化学学会文摘
  • 被引量:190