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Advantage of InGaN-based light-emitting diodes using AlGaInN electron blocking layer coupled with in
  • ISSN号:0030-4026
  • 期刊名称:Optik
  • 时间:2013
  • 页码:5866-5870
  • 相关项目:大功率LED关键热物理问题的基础研究
作者: Wang T H|Xu J L|
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