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CVD外延生长SiC薄膜的等离子体图形刻蚀研究
  • 期刊名称：固体电子学研究与进展
  • 时间：0
  • 作者或编辑：3448
  • 页码：2001，21（2）
  • 语言：中文
  • 相关项目：新型SiC高温半导体器件关键技术基础研究
作者： 柴常春 杨银堂 李跃进 贾护军 韩健|
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