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Sb2S3/TiO2纳米管异质结阵列的制备和光电性能
  • ISSN号:1001-5868
  • 期刊名称:《半导体光电》
  • 时间:0
  • 分类:TB34[一般工业技术—材料科学与工程]
  • 作者机构:[1]西南交通大学超导与新能源研究开发中心,材料先进技术教育部重点实验室,成都610031, [2]新南威尔士大学材料科学与工程学院,悉尼2052
  • 相关基金:国家磁约束核聚变能研究专项基金项目(2011GB112001,2013GB110001); 国家“863”计划项目(2014AA032701); 国际合作项目(2013DFA51050); 国家自然科学基金项目(51271155,51377138); 中央高校基本科研基金项目(2682013CX004,SWJTU11ZT31,2682013CX004); 四川省自然科学基金项目(2011JY0031,2011JY0130); 教育部博士点新教师基金项目(20120184120024)
中文摘要:

结合水热法和阳极氧化法合成了Sb2S3/TiO2纳米管异质结阵列,采用场发射扫描电子显微镜、X射线衍射谱表征了异质结阵列的形貌和晶体结构。暗态下的电流-电压曲线表明Sb2S3/TiO2纳米管异质结阵列具有整流效应。相比于纯的TiO2纳米管阵列,Sb2S3/TiO2纳米管异质结阵列的光电性能有了显著的提升:在AM 1.5标准光强作用下,光电转换效率从0.07%增长到0.40%,表面光电压响应范围从紫外光区拓宽至可见光区。结合表面光电压谱和相位谱,分析了Sb2S3/TiO2纳米管异质结阵列中光生载流子的分离和传输性能。

英文摘要:

Sb2S3/TiO2 nanotube heterojunction arrays were prepared by combining anodization with hydrothermal method. The crystal structure and surface morphology of heterojunction arrays were characterized by field emission scanning electron microscopy(FESEM)and X-ray diffraction(XRD).The dark current-voltage curve of Sb2S3/TiO2 nanotube heterojunction arrays reveals an obvious rectifying behavior.Compared with pure TiO2,improved photoelectrical properties of Sb2S3/TiO2 nanotube heterojunction arrays are obtained.The power conversion efficiency increases from 0.07%to 0.40% under AM1.5(100mW/cm~2).The surface photovoltage response range is extended from 300 to 730nm.The separation and charge transfer process of photo-generated carriers is analyzed by the surface photovoltage and phase spectrums.

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期刊信息
  • 《半导体光电》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:信息产业部
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第四十四研究所(重庆光电技术研究所)
  • 主编:江永清
  • 地址:重庆市南岸区南坪花园路14号
  • 邮编:400060
  • 邮箱:soe@163.net
  • 电话:023-65860286
  • 国际标准刊号:ISSN:1001-5868
  • 国内统一刊号:ISSN:50-1092/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 重庆市首届十佳期刊称号,1999年,信息产业部1999-2000年度优秀电子期刊称号
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:5924