中文摘要：

在在 GaAs (110 ) 上种的取向附生的 Fe (110 ) 电影的异常霍尔效果作为电影厚度和温度的功能被调查。996 \ 的果浆导致弯曲的内在的贡献(mega ^{-1}\hbox { 厘米 }^{-1}\) 第一次试验性地被决定。和 821 \( Fe ( 111 )和 1100 \mega ^{ -1}\hbox {厘米}^{在的-1}\)( Fe ( 001 )mega ^{ -1}\hbox {厘米}^{在的-1}\)更早获得了，我们明白地在单个水晶的 Fe 显示出对异常霍尔效果的果浆弯曲贡献的 anisotropy 。

英文摘要：

The anomalous films grown on GaAs（110） Hall effect in epitaxial Fe（110） is investigated as a function of both film thickness and temperature. The Berry curvatureinduced intrinsic contribution of 996 Ω^-1 cm^-1 is determined experimentally for the first time. Together with 821 Ω^-1 cm^-1 in Fe（111） and 1100 Ω^-1 cm^-1 in Fe（001） obtained earlier, we show unambiguously the anisotropy of the Berry curvature contribution to the anomalous Hall effect in single-crystal Fe.