中文摘要：

为研究SiO_2-B_2O_3混合基质在不同摩尔比例下掺杂Tb^3＋发光性能的差异,通过溶胶-凝胶技术以正硅酸乙酯和硼酸三甲酯为主要原料,制备了Tb^3＋掺杂B_2O_3-nSiO_2为基质的发光材料。通过荧光激发、发射光谱,分析了基质中的主要成分在不同摩尔比例下及前驱体在不同退火温度下的发光情况,得出在600℃退火处理后SiO_2与B_2O_3的摩尔比例为2∶1时其发光性能最好的结论。利用红外光谱对其结构进行表征,发现经600℃退火处理后B逐渐掺杂进了SiO_2的网状结构,形成了新的Si-O-B键,表明B掺杂进SiO_2的网络产生的晶格缺陷及造成的晶格畸变有利于荧光粉的发光。