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Prediction of low-LET ion induced single event upset cross sections for advanced SRAM
  • ISSN号：0022-3131
  • 期刊名称：Journal of Nuclear Science and Technology
  • 时间：2013
  • 页码：979-987
  • 相关项目：基于冗余余数系统的集成电路数据通道抗辐照保护方法研究
作者： 周婉婷|胡剑浩|李磊|
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