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The parameters in the band-anticrossing model for In (x) Ga(1-x) N (y) P(1-y) before and after annea
  • ISSN号：1674-7348
  • 期刊名称：Science China-Physics Mechanics & Astronomy
  • 时间：0
  • 页码：2160-2163
  • 相关项目：III族氮化物半导体微腔结构中激子极化激元和受激辐射研究
作者： Zhao ChuanZhen|Zhang Rong|Liu Bin|Yu LiYuan|Tang ChunXiao|Xie ZiLi|Xiu XiangQian|Zheng YouDou|
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期刊论文 37 会议论文 2 专利 4
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