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Triangular prism-shaped p-type 6H-SiC nanowires
  • ISSN号:1466-8033
  • 期刊名称:CrystEngComm
  • 时间:2012
  • 页码:488-491
  • 相关项目:基于单根掺杂SiC纳米结构的场效应晶体管电学特性研究
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