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一种1.5V 8.3×10^-6/℃数字控制型CMOS带隙基准电压源
  • ISSN号:1000-3819
  • 期刊名称:《固体电子学研究与进展》
  • 时间:0
  • 分类:TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 作者机构:[1]复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海201203
  • 相关基金:国家高技术研究发展计划资助项目(2007AA01Z282);国家自然科学基金资助项目(60876019)感谢中芯国际为此芯片提供了流片机会,感谢凯涛微电子的曹伟勋为芯片提供了测试机会.
中文摘要:

提出了一种新颖的带有数字控制的带隙基准电压源,此带隙基准电压源通过控制PNP晶体管的导通来实现可调的输出参考电压和可调的温度系数。此电路通过数字信号控制获得了一组不同的温度曲线,从这组温度曲线中,可以得到精确的输出参考电压和非常好的温度特性曲线。数字控制型带隙基准电压源的输出电压误差可以控制在±4mV以内,最好的温度系数可以达到8.3×10-6/°C(温度从-40~80°C变化时),在电源电压从1.5~3.3V变化时输出参考电压仅变化1mV。所设计的带隙基准电压源,采用SMIC0.18μmCMOS工艺流片实现,面积为0.09mm2。

英文摘要:

A novel digital controlled bandgap voltage reference is proposed in this paper. The adjustable voltage reference and temperature coefficient is implemented by controlling the number of PNP transistors. From a group of temperature curves controlled by digital control bits, a precise output reference voltage and temperature coefficient optimized curve can be obtained. The measurement indicates that the error of voltage reference can be controlled under ±4 mV, the best temperature coefficient achieves 8.3×10^-6/℃ from -40℃ to 80℃, and the reference volt- age varies only 1 mV with supply voltage from 1.5 V to 3.3 V. The proposed bandgap circuit is fabricated in a SMIC 0. 18 μm CMOS process, and die area is 0. 09 mm^2.

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期刊信息
  • 《固体电子学研究与进展》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:南京电子器件研究所
  • 主编:杨乃彬
  • 地址:南京中山东路524号(南京160信箱43分箱)
  • 邮编:210016
  • 邮箱:gtdz@chinajournal.net.cn
  • 电话:025-86858161
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-3819
  • 国内统一刊号:ISSN:32-1110/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵双效期刊,江苏省第六届优秀期刊,工信部09-10年期刊编辑质量优秀奖
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:2461