欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
Influence of rapid thermal annealing temperature on structure and electrical properties of high perm
ISSN号:0026-2714
期刊名称:Microelectronics Reliability
时间:0
页码:-
相关项目:钛氮共掺氧化铪栅介质薄膜的界面抑制和性能调控
作者:
Cong Ye|Chao Zhan|Jieqiong Zhang|Hao Wang|Tengfei Deng|Shiruo Tang|
同期刊论文项目
钛氮共掺氧化铪栅介质薄膜的界面抑制和性能调控
期刊论文 5
同项目期刊论文
EFFECT OF GATE ELECTRODES ON STRUCTURE AND ELECTRICAL PROPERTIES OF SPUTTERED HfO2 THIN FILMS
Composition dependence of band alignment and dielectric constant for Hf1-xTixO2 thin films on Si (10
Evidence of interface conversion and electrical characteristics improvement of ultra-thin HfTiO film
Electrical, Optical and Micro-structural Properties of Ultra-thin HfTiON Films