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中文摘要：
利用局域密度近似第一性原理方法，研究了氢在Si低指数面（100）、（110）、（111）上的吸附结构。用两种不同的势（US—PP和PAW）对Si晶格常数优化，计算表明两种势对Si晶格常数的影响较小（仅为0．002nm）。US—PP势总能计算表明：对于Si体系，清洁Si表面的（111）面最稳定；随氢环境的改变（氢化学势的不同），表面稳定结构也随着变化，与实验结果相一致。
英文摘要：
The calculations are carried out using the first - principles pseudopotential plane - wave total - energy method in the framework of density functional theory with the local density approximation. Calculations of hydrogen - covered silicon （100） , （110 ） , （111 ）surfaces show that using the two different US -PP and PAW potentials, the discrepancy of the lattice constant of silicon is in 0. 002nm. The total energy computation with US - PP shows that the ideal Si（ 111 ） surface is the most stable of the different Si surfaces, and with the different hydrogen chemical potential, the stability of hydrogen - adsorbed surfaces is distinct. The result is consistent with the experiments.
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