位置:成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Threading dislocation density comparison between GaN grown on the patterned and conventional sapphir
  • 期刊名称:SCINECE CHINA Physics, Mechanics & Astronomy
  • 时间:0
  • 页码:465-468
  • 语言:英文
  • 相关项目:单芯片白光LED的发光机理研究
同期刊论文项目
同项目期刊论文