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分子束外延生长InGaN/AlN量子点的组分研究
  • ISSN号：1000-3290
  • 期刊名称：《物理学报》
  • 时间：0
  • 分类：TN304.26[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]清华信息科学与技术国家实验室筹,清华大学电子工程系,北京100084
  • 相关基金：国家自然科学基金（批准号：61176015,61176059,60723002,60977022,51002085）、国家重点基础研究发展计划（批准号：2011CB301902,2011CB301903）和国家高技术研究发展计划（批准号：2011AA03A112,2011AA03A106,2011AA03A105）资助的课题.
作者： 胡懿彬[1], 郝智彪[1], 胡健楠[1], 钮浪[1], 汪莱[1], 罗毅[1]
关键词： INGAN, 量子点, 反射式高能电子衍射, InGaN, quantum dots, reflection high-energy electron diffraction
中文摘要：

报道了分子束外延生长的绿光波段InGaN／A1N量子点材料，并综合考虑InGaN量子点的应变弛豫，以及应力和量子限制斯塔克效应对量子点发光波长的影响，提出了一种结合反射式高能电子衍射原位测量与光致荧光测量确定InGaN量子点组分的方法．

英文摘要：

In this article we report on the green-light wavelength InGaN/A1N quantum dots （QDs） grown by molecular beam epitaxy, and propose a method to determine the composition of the InGaN QDs by combining reflection high-energy electron diffraction in-situ measurement and photoluminescence measurement, in which the strain relaxation and the influences of strain and quantum-confined Stark effect on the exciton energy are taken into consideration.

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期刊信息
  • 《物理学报》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会 中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京603信箱(中国科学院物理研究所)
  • 邮编：100190
  • 邮箱：apsoffice@iphy.ac.cn
  • 电话：010-82649026
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-3290
  • 国内统一刊号：ISSN：11-1958/O4
  • 邮发代号:2-425
  • 获奖情况:
  • 1999年首届国家期刊奖,2000年中科院优秀期刊特等奖,2001年科技期刊最高方阵队双高期刊居中国期刊第12位
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引（扩展库）,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:49876