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掺杂对ZnO基材料气敏性能的影响
  • 期刊名称：中国科技成果.20.47-49.2006
  • 时间：0
  • 分类：TP212.2[自动化与计算机技术—控制科学与工程;自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
  • 作者机构：[1]北京航空航天大学材料物理与化学研究中心,北京100083, [2]郑州轻工业学院技术物理系,郑州450002
  • 相关基金：国家自然科学基金（No.50502001）,国防科技重点实验室基金项目
  • 相关项目：ZnO:Ln,M薄膜的自组装制备与电致发光机理研究
作者： 孙猛，郝维昌*，王春忠，王天民
关键词： ZNO, 气敏材料, 掺杂, 原理
中文摘要：

ZnO是一种重要的半导体材料，具有独特的电学、光学特性，在气敏传感器领域得到了广泛的应用。本文综述了掺杂对ZnO材料气敏性能影响的原理，以及贵金属、稀土元素、碱土金属元素、过渡族金属氧化物四类元素掺杂对ZnO材料的气敏特性的影响。

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