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Characterization and photoluminescence of Co-doped SiC films
  • ISSN号:0021-8979
  • 期刊名称:Journal of Applied Physics
  • 时间:2013.9.27
  • 页码:0615021-0615024
  • 相关项目:SiC基稀磁半导体的局域结构与自旋相关磁、输运特性
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