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GaN基气敏传感器材料和器件研究
  • 项目名称：GaN基气敏传感器材料和器件研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：60576046
  • 申请代码：F040401
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2006-01-01-2008-12-31
  • 项目负责人：王军喜
  • 负责人职称：研究员
  • 依托单位：中国科学院半导体研究所
  • 批准年度：2005
中文摘要：

GaN基气敏传感器材料和器件研究是半导体材料GaN与传感器研究相互交叉形成的一个崭新的研究领域。由于GaN材料可应用在高温、强辐射等恶劣环境下。因而基于GaN的传感器可用于航天器燃料泄露的探测、有毒及腐蚀性气体监测，也可直接置于汽车内燃机中探测有害气体成分，减少环境污染，提高燃料效率。市场前景广阔。在自然科学基金的支持下，本课题按照计划进展顺利，目前已经全面完成了研究计划，未对课题研究计划进行调整。针对研制出气敏传感器这一研究目标，使用MOCVD设备生长了高质量的GaN材料，并外延生长了高质量的AlGaN/GaN结构材料用于制备GaN基气敏传感器，专门搭建了一台气敏传感器专用的测试设备，并制备成功了氮化镓基气敏传感器器件，测试结果证实器件对H2和CO具有传感特性，器件对氢气的响应时间和恢复时间均不超过1秒。

中文主题词： 氮化镓；气敏传感器；MOCVD；氢气；专用测试设备
结论摘要：

英文主题词GaN; Gas Sensor; MOCVD; Hydrogen;equipment

成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 15
  • 0
  • 2
  • 0
  • 0
期刊论文
AlGaN/GaN背对背肖特基二极管氢气传感器
AlGaN/GaN型气敏传感器对于CO的响应研究
Effect of CO on characteristics of AlGaN/GaN Schottky diode
Hydrogen sensors based on AlGaN/AIN/GaN HEMT
Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode
Hydrogen sensors based on AlGaN/AIN/GaN Schottky diodes
MOCVD生长Al_(0.48)Ga_(0.52)N/Al_(0.54)Ga_(0.36)N多量子阱的结构和光学特性
射频分子束外延生长AlInGaN四元合金
AlGaN/AlN/GaN肖特基二极管的电学性能
MOCVD生长GaN的数值模拟和喷淋式反应室结构优化
AlGaN/GaN异质结气体传感器对低体积分数CO的响应研究
过渡族和稀土族元素掺杂GaN基稀磁半导体性能比较
SiC衬底GaN基HEMT结构材料与器件
AlGaN/AlN_a/GaN/AlN_b/GaN HEMT结构材料生长及性能表征
T-ZnOw的制备及其吸波特性研究进展
专利
一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统
碳化硅衬底氮化物高电子迁移率晶体管及制作方法
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