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GaN基量子阱短波长激光器腔结构研究
  • 项目名称：GaN基量子阱短波长激光器腔结构研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：60276034
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：章蓓
  • 依托单位：北京大学
  • 批准年度：2002
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 5
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期刊论文
高反射率p-GaN欧姆接触电极
用微结构压印提高GaN基发光二极管的输出光强
InGaN/GaN和InGaN/AlGaN多量子阱中应变对光致发光特性的影响
GaN基二维八重准晶光子晶体制备与应用
Effects of transverse mode coupling and optical confinement factor on gallium-nitride based laser diode
章蓓的项目
“氮化物半导体国际学术研讨会”
第一届亚太宽禁带半导体学术研讨会
III族氮化物半导体微腔及激子与光子的相互作用
带有二维光子晶体结构的微腔发光器件
期刊论文 5
光学微腔器件物理研究