欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
立项数据库
> 立项详情页
第三代半导体GaN电力电子材料与器件研究团队
项目名称: 第三代半导体GaN电力电子材料与器件研究团队
批准号:850871
项目来源:2015年度广东省基础与应用基础研究专项资金(省自然科学基金)项目
研究期限:2015-07-
项目负责人:刘扬
依托单位:中山大学
批准年度:2015
刘扬的项目
氮化物半导体功率电子材料中深能级缺陷电学行为研究
期刊论文 1
常关型宽禁带氮化镓MOS场效应晶体管的研究
期刊论文 31
专利 7
选区外延槽栅结构GaN基MOSFET栅区缺陷控制机理研究
广东省第三代半导体GaN电力电子材料与器件工程技术研究中心建设
第三代半导体GaN电力电子材料与器件研究团队
第三代半导体GaN功率电子材料与器件的产业化技术开发
广东省第三代半导体GaN电力电子材料与器件工程技术研究中心建设
第三代半导体GaN功率电子材料与器件的产业化技术开发