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α相Ga2O3基半导体异质结构外延设计及高耐压HEMT器件应用
  • 项目名称：α相Ga2O3基半导体异质结构外延设计及高耐压HEMT器件应用
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：61774081
  • 项目来源：国自然科学基金
  • 研究期限：2018-01-2021-12
  • 项目负责人：叶建东
  • 依托单位：南京大学
  • 批准年度：2017
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