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等离子体离子注入材料内表面改性和制膜
  • 项目名称:等离子体离子注入材料内表面改性和制膜
  • 项目类别:面上项目
  • 批准号:50071068
  • 申请代码:E0110
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2001-01-01-2003-12-01
  • 项目负责人:杨思泽
  • 负责人职称:研究员
  • 依托单位:中国科学院物理研究所
  • 批准年度:2000
中文摘要:

等离子体源离子注入是一种新型的离子注入技术,是目前材料改性技术的热点,广泛用于金属及半导体材料的表面处理。我们将对等离子体源离子注入内表面改性这一难点和热点进行研究,实现圆筒形样品内表面离子注入和薄膜沉积,以达到综合改善内表面的机械性能的目的。这一研究如果成功,将具有重大的工业应用价值。

结论摘要:

英文主题词Plasma source ion implantation/Inner surface modification/Film deposion


成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
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  • 著作
  • 8
  • 1
  • 0
  • 0
  • 0
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