通过催化蒸汽-液体-固体(CVLS)法和化学溶液沉积法(CBD)分别在镀金的Si衬底和ITO导电玻璃上制备出直径为几纳米,尺寸分布均匀,取向一致的ZnO纳米线阵列。通过离子注入法向ZnO体单晶中注入一定浓度的Zn和O,逐渐改变Zn和O的浓度,研究锌和氧的植入对深能级发射的影响,比较不同植入浓度样品的发光光谱,在理论和实验上确定所观测到的深能级发射峰的起源,探索深能级的发光机制。为了充分利用ZnO的深能级缺陷发光,拟选择稀土元素(Eu、Ce、Er或Dy等)作为掺杂剂,对稀土掺杂ZnO纳米线的制备、结构及发光性能进行较为系统的研究,为实现高效深能级白光发射提供有效物理依据和实验途径,为其实际应用提供后备的半导体材料。该研究对于实现ZnO纳米线白光器件的应用具有重要的学术价值。