本项目是在深刻理解氧化物半导体量子点稀土共掺杂硅基发光材料中的光学过程的基础上,探索半导体量子点稀土共掺杂硅基材料的高效率发光的新途径、新技术,为进一步实现硅基微光子学做准备。主要研究工作如下 1、氧化物半导体量子结构的制备、结构与发光特性研究。对溶胶-凝胶法制备氧化物半导体量子点SnO2纳米颗粒、纳米线的光致发光及电致发光谱进行了研究,观察到了该系统发光峰经过热退火处理后荧光强度显著增强。 2、氧化物半导体量子点和稀土共掺杂二氧化硅薄膜的光学性质及能量转移过程研究。观察到In2O3和Eu共掺SiO2薄膜的荧光强度大大增加,其强度与未掺杂Eu3+离子的样品相比提高了两个数量级。 3、氧化物及硫系化合物半导体量子点薄膜的电学输运性质研究。 4、在二维图形化半导体纳米阵列方面的研究本项目经项目组成员的努力,取得了一系列的成果,共发表论文19篇,其中在Nanotechnology, Optics Express, Journal of Applied Physics 等SCI杂志上发表论文18篇,申请国家发明专利授权4项,并获国家发明专利授权8项。
英文主题词oxide semiconductor quantum dots\co-doping with rare earth\PL enhancement