中文摘要：

随着高K栅介质材料在Si衬底上几近成熟的研究及微电子技术进一步发展的要求，高K栅介质材料在Ge衬底上的生长及特性研究已经成为近期的研究热点之一。本项目将利用超高真空溅射系统在Ge（001）衬底上制备Er2O3和Tm2O3稀土金属氧化物薄膜，系统地开展Er2O3和Tm2O3高K栅介质薄膜在Ge衬底上的生长、钝化、物理特性、漏电产生机制及能带问题的研究。找出材料生长及钝化条件、微结构、物理特性之间的关系与规律；提出稀土金属氧化物薄膜在Ge衬底上漏电流产生机制及界面态密度增加的主要原因。计算出Er2O3/Ge、Tm2O3/Ge的能带结构，弄清Ge衬底上高K氧化物薄膜的频散机制。为将来高K栅介质薄膜在Ge衬底上的应用开辟道路。