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阳极注入效率可控的(IEC)GCT新结构及其关键技术研究
  • 项目名称:阳极注入效率可控的(IEC)GCT新结构及其关键技术研究
  • 项目类别:面上项目
  • 批准号:50877066
  • 申请代码:E070601
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2009-01-01-2011-12-31
  • 项目负责人:高勇
  • 负责人职称:教授
  • 依托单位:西安理工大学
  • 批准年度:2008
中文摘要:

提出一种阳极注入效率可控的(IEC)GCT 结构,它既有优良的大功率器件特性,又有简单的制作工艺。探索了IEC-GCT 器件在高压大电流条件下的工作机理,确立了影响高温特性的关键物理参数模型,建立高温特性分析的模型,移植到器件与工艺模拟软件ISE中,对IEC-GCT 结构在高温下的动、静态特性进行深入的分析与优化设计;采用一种新的改进型门-阴极图形设计了IEC-GCT 管芯制作的光刻版图;研究了器件制作的关键技术,采用模拟分析和实验结合的方法探索了IEC-GCT 阳极多层金属化电极的制作方法及其工艺条件,确定了IEC-GCT 结构的工艺实施方案;引入波状p基区技术,提出改进的IEC-GCT器件结构,改善了关断特性和高温特性;提出波状p基区IEC-GCT结构的工艺方案。研究结果为在国内现有的工艺水平下制作大功率GCT 器件提供了简单可行的技术途径。

结论摘要:

英文主题词Gate Commutated Thyristor (GCT); high temperature charateristic; fabrication process;loyout design; corrugated base


成果综合统计
成果类型
数量
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  • 会议论文
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  • 著作
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  • 2
  • 1
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