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氮化镓基LED荧光衬底-掺杂β-Ga2O3晶体的生长与性能研究
  • 项目名称:氮化镓基LED荧光衬底-掺杂β-Ga2O3晶体的生长与性能研究
  • 项目类别:面上项目
  • 批准号:50672105
  • 申请代码:E0201
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2007-01-01-2009-12-31
  • 项目负责人:夏长泰
  • 负责人职称:研究员
  • 依托单位:中国科学院上海光学精密机械研究所
  • 批准年度:2006
中文摘要:

目前流行的白光LED的发光结构是利用LED和萤光体的组合.本项目首次发现β-Ga2O3: Mn、Cr晶体可以在蓝光(470nm)激发下同时产生绿光(538nm)和红光(691 nm)发射。将β-Ga2O3: Mn、Cr晶体衬底与蓝光LED配合,通过调节蓝绿红三种颜色光的比例就可以得到白光。β-Ga2O3: Mn、Cr单晶是一种新型GaN基白光LED的荧光衬底。采用这种新型荧光衬底来制作白光LED,其原理是利用荧光衬底所发的光与LED所发的光的组合而成白光,不再需要传统的磷光体, 将更节省能源、降低制造成本及复杂度。成功地在?-Ga2O3晶体衬底上生长了GaN/GaInN MQW LED并被点亮。在MgAl2O4中首次观察到Mn2+发光中心到Cr3+发光中心的能量传递,MgAl2O4Mn2+、Cr3+在蓝光(450nm)激发下可同时可得到Mn2+的绿光和Cr3+的红光发射,MgAl2O4Mn2+、Cr3+荧光衬底与蓝光LED配合也可以得到白光。MgAl2O4Mn2+、Cr3+单晶作为一种有应用前景的GaN基白光LED的荧光衬底值得进一步研究。

结论摘要:

英文主题词-Ga2O3;doping;MgAl2O4;luminescent substrate;GaN-based LEDs


成果综合统计
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