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基于能隙窄化的一维宽带半导体材料的合成与性能研究
  • 项目名称：基于能隙窄化的一维宽带半导体材料的合成与性能研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：20671092
  • 申请代码：B0105
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2007-01-01-2009-12-31
  • 项目负责人：李广社
  • 负责人职称：研究员
  • 依托单位：中国科学院福建物质结构研究所
  • 批准年度：2006
中文摘要：

本项目以一维宽带半导体材料为对象，通过高质量材料合成和结构调控，实现能隙窄化，从而实现广谱太阳光响应吸收，为高效率利用太阳光奠定基础。在本项目系统研究了rutile-TiO2纳米线，获得了最佳的合成条件，将rutile-TiO2纳米线成功组装成均匀生长的微米球；对anatase-TiO2表面结构进行了修饰，揭示了表面电子的界面转移和活化过程，利用表面自组装技术成功合成brookite-TiO2纳米花，通过过渡金属离子的搀杂，实现了能隙的明显窄化。通过ZnO纳米棒和Ag的杂化，通过能隙调控和结构控制，室温实现了铁磁性。把对纳米材料的电子结构和表面结构调控的研究结果进一步扩展到CaWO4，取得了系列有国际影响的研究结果，获得了性能优异的新型光功能材料。项目执行过程中，共发表论文43篇1篇JACS, 影响因子大于3的有15篇，1篇论文Chem. Commun的hot paper，国际多家网站对研究进行了报道；1篇作为邀请论文和封面论文发表在J. Mater. Chem.上，1项工作被英国物理学会的www.nanotechweb.org网站作为新闻进行报道。有2项公开的国家发明专利。

中文主题词： 宽带半导体；太阳光；能隙窄化；材料合成；结构
结论摘要：

英文主题词wide-gap semiconductor; solar; bandgap narrowing; preparation; structure

成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 44
  • 4
  • 0
  • 0
  • 0
期刊论文
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