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二氧化钒薄膜电致相变机理及其在太赫兹电子器件中的应用研究
项目名称:二氧化钒薄膜电致相变机理及其在太赫兹电子器件中的应用研究
项目类别:面上项目
批准号:51572042
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:文岐业
依托单位:电子科技大学
批准年度:2015
成果综合统计
成果类型
数量
期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
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期刊论文
Effect of Al2O3 Buffer Layers on the Properties of Sputtered VO2 Thin Films
文岐业的项目
自旋电子器件相关稀释磁性氧化物铁磁性起源及应用基础研究
期刊论文 16
会议论文 2
太赫兹高速宽带调制技术研究
期刊论文 20
太赫兹波宽带无线通信技术基础研究
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