掺杂氮的纳米SiC吸收剂研究-东篱科研大数据发现系统（DRDS）

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掺杂氮的纳米SiC吸收剂研究

项目名称：掺杂氮的纳米SiC吸收剂研究
项目类别：重大研究计划
批准号：90305016
申请代码：E0204
项目来源：国家自然科学基金
研究期限：2004-01-01-2006-12-31

项目负责人：周万城
负责人职称：教授
依托单位：西北工业大学
批准年度：2003

中文摘要：

本申请项目拟研究晶格中掺杂氮的纳米SiC吸收剂，研究内容包括掺杂方法选择、掺杂工艺控制、掺杂量控制、及这些因素对吸收剂介电常数及其频散效应的影响。高温吸收剂的研究一直以来都是靠调整吸收剂复介电常数的大小来提高吸波效果的。目前吸收剂的介电常数已经能够调整到所需要的范围，这一研究途径的潜力已经挖尽，但吸收剂和吸波材料的吸波性能仍不能满足有些实际应用的要求，这已经成为武器装备高温部件隐身的瓶颈问题，因

中文主题词：纳米SiC；氮掺杂；复介电常数；吸收；微波

英文摘要：

nanometer SiC;N doping; comple

英文主题词： nanometer SiC;N doping; comple

结论摘要：

用激光诱导气法，以六甲基二硅胺烷(((CH3)Si)2NH)和NH3为原料，合成Si/C/N纳米粉体，粉体粒度范围为20~50nm，分散性较好。粉体中的N含量可以通过激光气相合成过程中NH3的加入量进行控制。合成的Si/C/N纳米粉体为一种透波材料，随着热处理温度的升高，Si/C/N纳米吸收剂的实部、虚部和tg逐渐增大，在热处理温度为1450℃时达到峰值。利用CVD法分别由HMDS-NH3-H2和MTS-NH3-H2体系制备了Si/C/N纳米粉体。制得的粉体粒径为20~30nm，经不同温度热处理后，粉体出现了不同的结晶状态和相组成，研究了粉体在热处理过程中的晶化机理。对以HMDS和MTS为原料制备的Si/C/N纳米粉体，发现粉体的组成和热处理温度均对其介电性能有的影响。 Si/C/N纳米粉体的介电常数和介电损耗很高，这可能是Si/C/N纳米粉体中 N原子的存在改变了Si原子的化学环境所致。Si/C/N纳米吸收剂的实部、虚部随频率的增大有减小的趋势，具有频响特性，有利于展宽对雷达波的吸收频宽。

成果综合统计