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第四届国际半导体缺陷正电子研究讨论会PSSD－2004
  • 项目名称：第四届国际半导体缺陷正电子研究讨论会PSSD－2004
  • 项目类别：国际(地区)合作与交流项目
  • 批准号：10410201237
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：王柱
  • 依托单位：武汉大学
  • 批准年度：2004
王柱的项目
用正电子湮没谱学研究辐照缺陷的自修复机理
期刊论文 2
用高分辨数字式正电子寿命谱研究AlN、ZnO等半导体中的缺陷
期刊论文 13 会议论文 2
用正电子湮没谱研究W、Zr等纳米合金的结构稳定性
用二维多普勒展宽谱研究GaSb等半导体的缺陷及缺陷化学环境
期刊论文 31 会议论文 1 获奖 1