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　基于半导体照明LED用SiC单晶衬底制备
  • 项目名称：　基于半导体照明LED用SiC单晶衬底制备
  • 批准号：2006AA03A146
  • 项目来源：2006年度“十一五”国家高技术研究发展计划（863计划）新材料领域“半导体照明工程”重大项目
  • 研究期限：2006-12-
  • 项目负责人：陈小龙
  • 依托单位：中国科学院物理研究所
  • 批准年度：2006
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 5
  • 0
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期刊论文
原料空隙率对6H-SiC晶体生长初期的影响
铝掺杂6H-SiC晶体拉曼光谱的温度特性研究
超快大功率SiC光导开关的研究
组合材料方法研究膜厚对Ni/SiC电极接触性质的影响
氢氟酸刻蚀对Ni/6H-SiC接触性质的作用
陈小龙的项目
第九届全国X射线衍射学术会议暨国际衍射数据中心研讨班
含MX结构单元(M=Fe,Co,Ni, X=S,Se,P)新型层状化合物合成、结构和物性研究
期刊论文 36
无机化合物多晶衍射结构分析方法
期刊论文 21 会议论文 7 著作 1
Bi2O3-CuO-R2O3三元相关系和新功能材料的探索
期刊论文 8
GaN晶体片生长机制的探索
期刊论文 8
新型层状电磁功能材料的设计、制备及性能
新型层状超导和热电材料的设计、制备与结构-性能关系研究
期刊论文 3
GaN单晶生长的研究
期刊论文 20
第三代半导体材料SiC大尺寸单晶和薄膜生长研究
期刊论文 30 会议论文 1
无机非金属材料学科
期刊论文 50
　石墨烯的可控制备、物性与器件研究
期刊论文 26