中文摘要：

本研究项目将超临界流体和微乳液的特点结合起来，研究探索这类新型微乳液体系对半导体芯片上纳微图形进行清洗并对光刻后的残渣进行清除。主要研究内容为研究二氧化碳及其含表面活性剂或共溶剂体系对低介电常数材料和光刻胶的溶涨行为；探讨表面活性剂用量、温度和压力等因素对清洗效果的影响；对清洗过程的各种作用力进行分析，了解基于二氧化碳溶液的清洗机理，在实验的基础上，给出新的溶剂配方；对低介电常数材料修复和清洗的复合操作作进一步的优化设计。此研究是涉及化工热力学、胶体与界面化学、超临界流体科学和技术以及微电子器件处理等相互交叉渗透的重要课题，因此，开展此方面的研究不但将为此类技术的中试或大规模工业化实验提供充实的基础数据和理论指导，而且可以促进相关学科的发展并拓宽超临界二氧化碳和微乳液的研究内涵和应用范围。