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　基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术
  • 项目名称：　基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术
  • 批准号：2006AA03A128
  • 项目来源：2006年度“十一五”国家高技术研究发展计划（863计划）新材料领域“半导体照明工程”重大项目
  • 研究期限：2006-12-
  • 项目负责人：李小红
  • 依托单位：厦门华联电子有限公司
  • 批准年度：2006
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 2
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期刊论文
p-AlGaN电子阻挡层Al组分对Si衬底绿光LED性能影响的研究
硅衬底GaN基LEDN极性n型欧姆接触研究
李小红的项目