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顶点硅像素探测器抗辐射光纤传输芯片研究
  • 项目名称:顶点硅像素探测器抗辐射光纤传输芯片研究
  • 项目类别:海外及港澳学者合作研究基金
  • 批准号:11328502
  • 申请代码:A050508
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2014-01-01-2015-12-31
  • 项目负责人:龚达涛
  • 依托单位:中国科学院高能物理研究所
  • 批准年度:2013
中文摘要:

升级后的北京正负电子对撞机(BEPCⅡ)亮度将提高100 倍,是τ-粲能区有史以来亮度最高的对撞机,以及一个与高亮度相匹配的高精度通用探测器系统北京谱仪Ⅲ(BESⅢ),为在这个能区进行粒子产生和衰变的精确测量提供了十分有利的条件。随着BEPCⅡ束流强度的不断提高,极高的本底导致作为BESⅢ径迹探测器主漂移室(MDC)的内室无法正常工作。因此,对MDC 内室升级开展预研已迫在眉睫。根据BESⅢ实验特点和目前国际上径迹探测器发展现状分析,单片式有源硅像素探测器(MAPS)是未来MDC 内室最有竞争力的候选技术。而由于硅像素探测器会产生大量数据,因此会面对在辐射环境下传输大量数据的需求。而采用抗辐射光纤传输是解决这一问题的最佳方案,欧洲核子中心的ATLAS实验已经成功使用这种方案。龚达涛作为其液氩量能器数据传输芯片的主要设计人及芯片研究项目负责人和高能所电子学组合作研究高速芯片设计读出解决方案.

结论摘要:

英文主题词high speed data transmisssion;ASIC;radiation tolerance;fiber transfer;

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