中文摘要：

CMOS毫米波功率放大器的设计，一直受到CMOS工艺在击穿电压及高频增益等方面的制约。由于缺少有效的毫米波功率放大器增益增强与片上功率合成的电路拓扑结构及准确的毫米波MOSFET大信号模型，严重影响了CMOS毫米波功率放大器的性能指标，使其无法满足全球60GHz以及我国Q-LinkPAN标准毫米波短距离通信的需求。本项目围绕毫米波器件参数提取与模型修正、增益增强与片上功率合成技术等设计CMOS毫米波功率放大器的关键问题展开研究，包括（1）研究全网络参数计算的MOSFET毫米波测量去嵌入方法；（2）研究基于LC阻抗调节与3D电磁屏蔽的毫米波功率放大器增益增强技术；（3）基于人工变压器片上功率合成的高输出CMOS毫米波功率放大器。本研究将有效地填补毫米波MOSFET测量去嵌入与大信号模型方面的空白，创新CMOS毫米波功率放大器的设计方法，促进基于CMOS工艺的毫米波高速无线通信技术的快速发展。