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InP基光子集成发射芯片技术的研究
项目名称:InP基光子集成发射芯片技术的研究
项目类别:国际(地区)合作与交流项目
批准号:61320106013
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:朱洪亮
依托单位:中国科学院半导体研究所
批准年度:2013
成果综合统计
成果类型
数量
期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
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期刊论文
Cu溅射诱导增强量子阱混杂实验研究
朱洪亮的项目
大应变量子阱长波长半导体激光器的研制
期刊论文 10
干法刻蚀InP系材料表面损伤缺陷的研究
新型集成DFB自脉动激光器的研究
期刊论文 18
专利 2
MOVPE长波长InAs/GaAs量子点及其激光器件的研究
期刊论文 21
会议论文 2